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          外延片(EPI)
          外延片

          外延片(EPI)指的是在襯底上生長出的半導體薄膜,薄膜主要由P型,量子阱,N型三個部分構成?,F在主流的外延材料是氮化鎵(GaN),襯底材料主要有藍寶石。硅,碳化在三種,量子阱般為5個通常用的生產工藝為金屬有機物氣相外延(MOCVD),這是LED產業的核心部分,需要較高的技術以及較大的資金投入。
          目前在硅襯底上可以做普通外延層,多層結構外延層,超高阻外延層,超厚外延層,外延層電阻率可達一千歐姆以上,導電類型為:
          P/P++, N/N++, N/N+, N/N+/N++, N/P/P, P/N/N+等多種類型。
          硅外延晶片是用于制造廣泛的半導體器件的核心材料,在消費、工業、軍事和空間電子學中都有應用。

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          商品詳情
          直徑 4"  5"  6"  8" 
          外延層 摻雜 Boron, Phos, Arsenic
            晶向 <100>, <111>
            導電類型 P/P++, N/N++, N/N+, N/N+/N++, N/P/P, P/N/N+
            電阻率 0.001-50 Ohm-cm
            電阻率均勻性 Standard <6%, Maximum Capabilities <2%
            外延層厚度 (um) 0.1-100
            厚度均勻性 Standard <3%, Maximum Capabilities <1%
          襯底 晶向 <100>, <111>
            導電類型/摻雜元素 P Type/Boron , N Type/Phos,  N Type/As, N Type/Sb
            厚度 (um) 300-725
            電阻率 0.001-100 Ohm-cm
            表面狀態 P/P, P/E
            顆粒度 <30@.0.5um

           

           

          廣東硅峰為一些最重要的微電子應用提供了多種生產證明和行業標準的硅外延工藝技術:
          二極管
          •肖特基二極管
          •超快二極管
          •齊納二極管
          •PIN二極管
          •瞬態電壓抑制器(TVS)
          •和其他

          晶體管
          •功率IGBT
          •動力DMO
          •MOSFET
          •中等功率
          •小信號
          •和其他

          集成電路
          雙極集成電路
          •EEPROM
          •放大器
          •微處理器
          •微控制器
          •射頻識別
          •和其他
           
                 對于集成電路制造商硅峰提供在襯底上具有埋入離子注入或擴散層的硅外延沉積服務。
                 根據生長方法可以將外延工藝分為兩大類(表1):全外延(Blanket Epi)和選擇性外延(Selective Epi, 簡稱SEG)。工藝氣體中常用三種含硅氣體源:硅烷(SiH4),二氯硅烷(SiH2Cl2, 簡稱DCS) 和三氯硅烷(SiHCl3, 簡稱TCS);某些特殊外延工藝中還要用到含Ge和C的氣體鍺烷(GeH4)和甲基硅烷(SiH3CH3);選擇性外延工藝中還需要用到刻蝕性氣體氯化氫(HCl),反應中的載氣一般選用氫氣(H2)。" ~1 X. i9 V% A7 I
           
                 外延選擇性的實現一般通過調節外延沉積和原位(in-situ)刻蝕的相對速率大小來實現,所用氣體一般為含氯(Cl)的硅源氣體DCS,利用反應中Cl原子在硅表面的吸附小于氧化物或者氮化物來實現外延生長的選擇性;由于SiH4不含Cl原子而且活化能低,一般僅應用于低溫全外延工藝;而另外一種常用硅源TCS蒸氣壓低,在常溫下呈液態,需要通過H2鼓泡來導入反應腔,但價格相對便宜,常利用其快速的生長率(可達到5 um/min)來生長比較厚的硅外延層,這在硅外延片生產中得到了廣泛的應用。IV族元素中Ge的晶格常數(5.646A與Si的晶格常數(5.431A差別最小,這使得SiGe與Si工藝易集成。在單晶Si中引入Ge形成的SiGe單晶層可以降低帶隙寬度,增大晶體管的特征截止頻率fT(cut-off frequency),這使得它在無線及光通信高頻器件方面應用十分廣泛;另外在先進的CMOS集成電路工藝中還會利用Ge跟Si的晶格常數失配(4%)引入的晶格應力來提高電子或者空穴的遷移率(mobility),從而增大器件的工作飽和電流以及響應速度,這正成為各國半導體集成電路工藝研究中的熱點。
           
                 由于本征硅的導電性能很差,其電阻率一般在200ohm-cm以上,通常在外延生長的同時還需要摻入雜質氣體(dopant)來滿足一定的器件電學性能。雜質氣體可以分為N型和P型兩類:常用N型雜質氣體包括磷烷(PH3)和砷烷(AsH3),而P型則主要是硼烷(B2H6)。
           
          公司地址:廣東省佛山市南海區桂瀾北路26號招商置地中心3座1815 備案號:粵ICP備19154843號
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